时间：2025/8/24 15:30:02
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FDMS0364S 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的高性能 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，属于功率MOSFET系列。该器件采用先进的PowerTrench?技术，旨在提供更低的导通电阻（Rds(on)）和更高的效率，适用于多种高功率密度和高开关频率的应用场合。FDMS0364S 封装形式为SO-8，便于在紧凑型电路设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：10A（在25°C下）
导通电阻(Rds(on))：最大28mΩ（在Vgs=10V时）
最大功耗(Pd)：3.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SO-8
FDMS0364S 是一款基于PowerTrench?技术的高性能MOSFET，具有极低的导通电阻（Rds(on)）特性，使其在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高整体系统效率。该器件的Rds(on)最大值仅为28mΩ，且在Vgs=10V时表现出优异的稳定性和一致性。此外，FDMS0364S 提供了较高的电流处理能力，额定连续漏极电流为10A，在25°C环境温度下具备良好的热性能。该器件还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、负载开关和电源管理系统等。
该MOSFET的SO-8封装形式不仅节省空间，而且便于表面贴装，适用于自动化生产和高密度PCB布局。此外，FDMS0364S 的工作温度范围为-55°C至150°C，确保了其在各种恶劣环境条件下的稳定运行。该器件还具备良好的抗雪崩能力，提供更高的系统可靠性和耐用性。
在栅极驱动方面，FDMS0364S 的栅极电压范围为±20V，确保在不同驱动条件下都能保持稳定的性能。其低栅极电荷（Qg）特性也进一步提升了开关速度，减少了开关损耗，非常适合用于同步整流、电机控制和电池供电设备等应用。
FDMS0364S 被广泛应用于各种高效率、高功率密度的电子系统中，例如DC-DC转换器、电源管理系统、负载开关、电池供电设备、电机控制电路以及同步整流器等。其低导通电阻和高电流能力使其成为高性能电源设计的理想选择。此外，该器件也常用于消费类电子产品、工业控制系统、通信设备和汽车电子系统中。
FDMS0364S 的替代型号包括 FDS6660、FDMS0360S 和 SiSS52DN。这些型号在电气性能、封装形式和应用场景上与 FDMS0364S 类似，可根据具体设计需求进行选择。
