类型：功率MOSFET模块
　　配置：半桥（High Side + Low Side）
　　最大漏极电压（VDS）：100V
　　最大漏极电流（ID）：80A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为 0.58mΩ（高边 + 低边）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：5mm x 6mm MLPQ（QFN）
　　栅极驱动电压：6V 至 20V
　　功耗（PD）：15W
　　热阻（RθJA）：约 50°C/W

FDMF8704TR 的最大特点是其高集成度与高效能。该器件采用先进的封装技术，将高边与低边MOSFET集成在一个QFN封装中，极大地节省了PCB空间并简化了布局设计。其低RDS(on)特性确保了在高电流应用下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。
　　此外，FDMF8704TR 具备优异的热性能，封装设计优化了散热路径，使得在高负载条件下也能维持稳定工作温度。它还集成了内部栅极驱动器，减少了外部组件数量，提升了系统的可靠性和稳定性。
　　该器件支持宽范围的输入电压，并可在高频率下运行，适用于高频开关电源设计。同时，其耐高温能力和宽工作温度范围使其适用于严苛环境下的应用，如工业控制和服务器系统。

FDMF8704TR 主要应用于高性能电源系统，包括DC-DC转换器、负载点电源（POL）、服务器电源供应、电信基础设施、网络设备、高性能计算系统（如GPU和AI加速卡）电源管理模块等。其高集成度和高效能特性使其成为空间受限且要求高功率密度设计的理想选择。
　　在服务器和通信设备中，该器件能够提供高效率和高稳定性的电源转换能力，支持系统在高负载下持续运行。在DC-DC转换器中，其低导通电阻和快速开关特性有助于降低能量损耗并提高转换效率。此外，FDMF8704TR 还适用于需要高可靠性和长时间稳定运行的工业自动化与控制系统。

SiC458, FDMF8706, DrMOS NCP4306