FDMF5804 时间：2025/12/29 14:56:08 阅读：12

FDMF5804是由Fairchild（现为ON Semiconductor）推出的一款集成式功率MOSFET和驱动器的电源管理芯片，广泛用于高效电源转换系统中。该芯片采用先进的封装技术，将MOSFET与驱动电路集成在一个紧凑的封装中，有助于减少PCB面积并提升系统效率。FDMF5804特别适用于高密度电源应用，如服务器电源、电信设备和DC-DC转换器。

参数

类型：集成MOSFET和驱动器
　　封装类型：QFN
　　最大漏极电流（ID）：12A
　　漏源极最大电压（VDS）：30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为6.8mΩ（@VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　栅极驱动电压：6V至20V
　　工作频率：支持高频操作
　　输入电容：约1000pF
　　封装尺寸：5mm x 6mm

特性

FDMF5804具备出色的功率转换效率，主要得益于其低导通电阻和优化的封装设计。其集成式结构不仅减少了外部元件的数量，还提高了系统的可靠性。该芯片的封装采用热增强技术，使得热量可以高效地传导到PCB上，从而提升了热管理性能。此外，FDMF5804内置了过热保护和过流保护功能，有助于防止在极端工作条件下发生损坏。芯片的栅极驱动器部分经过优化，能够提供快速开关性能，降低开关损耗，适用于高频率开关应用。其驱动能力较强，能够有效驱动大功率MOSFET器件，确保系统的稳定运行。
　　FDMF5804的另一个显著特点是其优异的封装散热性能。采用5mm x 6mm的QFN封装，不仅体积小巧，而且通过封装底部的散热焊盘将热量迅速散发到PCB上，从而降低了芯片的温升，提高了长期工作的稳定性。此外，该芯片的寄生电感较低，有助于减少高频开关过程中的电压尖峰，从而提升系统的EMI性能。这种设计特别适合用于高密度电源系统，如服务器电源模块、电信设备中的DC-DC转换器以及车载电源系统。
　　在应用中，FDMF5804还具备良好的兼容性和灵活性。其栅极驱动电压范围宽（6V至20V），可适配多种控制芯片和驱动电路，适用于不同的功率转换拓扑结构，如Buck、Boost和Half-Bridge等。这种灵活性使得FDMF5804成为设计工程师在开发高效电源系统时的理想选择。