时间：2025/5/27 11:01:48
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FDMF3170 是一款高性能、低功耗的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的半导体制造工艺设计。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适合于高效率电源转换应用。其封装形式为 TO-263（D2PAK），能够提供卓越的散热性能，使其在高电流和高电压应用场景中表现出色。
FDMF3170 主要用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等领域。由于其出色的电气特性和可靠性，该器件广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：34A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ
总功耗(Ptot)：118W
工作结温范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
封装：TO-263(D2PAK)
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，支持高频开关应用，降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 内置反向二极管，简化了电路设计并提高了可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子设备的需求。
6. 优异的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
7. 支持大电流操作，适用于多种功率转换场景。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流应用。
2. 直流-直流转换器，如降压或升压转换器。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 负载开关和保护电路，例如电池管理系统(BMS)。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子中的各种功率管理电路。
FDP5570N, IRF540N, STP36NF06L
