时间：2025/8/24 22:38:23
阅读：6
FDMC8884_F126 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。FDMC8884_F126 通常采用 8 引脚 SOIC 封装（表面贴装），便于高密度 PCB 设计，并具有良好的热性能。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 Vds：30V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id（@25°C）：7.7A
导通电阻 Rds(on)（@Vgs=10V）：23mΩ
导通电阻 Rds(on)（@Vgs=4.5V）：32mΩ
输入电容 Ciss：880pF
功耗（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：8-SOIC
FDMC8884_F126 具备多项优良的电气和物理特性，使其在高性能功率应用中表现出色。
首先，该 MOSFET 的低导通电阻（Rds(on)）在 10V 栅极电压下仅为 23mΩ，在 4.5V 栅极电压下也仅为 32mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。这一特性特别适用于需要高电流和低电压降的应用，如同步整流和负载开关。
其次，FDMC8884_F126 的栅极电荷（Qg）较低，确保了快速的开关性能，减少了开关损耗。这对于高频开关应用如 DC-DC 转换器至关重要，有助于提高系统的工作频率并减小外部元件尺寸。
此外，该器件具有较高的热稳定性与耐久性。其采用的 8 引脚 SOIC 封装不仅支持表面贴装工艺，还具备良好的散热能力，能够在较高工作电流下维持较低的结温，从而延长器件寿命并提高系统可靠性。
最后，FDMC8884_F126 的设计支持宽范围的栅极驱动电压（最高可达 ±20V），增强了与不同驱动电路的兼容性，并确保在各种工作条件下稳定运行。
FDMC8884_F126 主要应用于以下领域：
在电源管理方面，该器件广泛用于同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器以及负载开关电路中，提供高效能的电能转换与管理。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效率开关电源（SMPS）的理想选择。
在电机控制方面，FDMC8884_F126 可用于驱动小型直流电机或步进电机，支持精确的电流控制和快速响应，适用于自动化设备、机器人和工业控制系统。
此外，该 MOSFET 还适用于电池管理系统（BMS），用于实现高效的充放电控制和电池保护。
由于其优异的电气性能和紧凑的封装形式，FDMC8884_F126 也被广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备中的电源管理子系统。
Si7496DP, FDS4410, IRF7413, FDMS8878
