类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：30V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：16.5A
　　导通电阻(Rds(on))：约5.2mΩ（典型值，Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：8引脚DFN（双扁平无引脚）

FDMC8878具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻确保了在高电流条件下较低的导通损耗，从而提高了系统的整体效率。其次，该器件支持高达±20V的栅极-源极电压，使其在栅极驱动电路设计上具有更大的灵活性。此外，FDMC8878的工作温度范围较宽，从-55°C到+175°C，适用于各种严苛环境下的应用。
　　在封装方面，FDMC8878采用8引脚DFN封装，这种封装形式不仅体积小、重量轻，而且具有优良的热传导性能，有助于快速将热量从芯片传导至PCB（印刷电路板）。这种设计有助于提升器件在高功率应用中的稳定性与可靠性。
　　另外，FDMC8878具备快速开关能力，栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高系统的工作频率。同时，其体二极管的反向恢复时间较短，进一步提升了器件在高频开关应用中的性能。

FDMC8878广泛应用于各类电力电子系统中，特别是在需要高效率、高功率密度和高频操作的场景中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机控制、电源管理模块、负载开关等。由于其出色的导通特性和散热性能，FDMC8878也常用于便携式电子设备、服务器电源、通信设备、工业自动化控制系统以及新能源汽车中的电源模块。
　　此外，FDMC8878在汽车电子领域也有广泛应用，例如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）等。在这些应用中，FDMC8878能够提供稳定的电流控制和高效的能量转换，满足现代电子设备对小型化、高效化和可靠性的需求。

Si7490DP, CSD17551Q5A, FDS6680, NVMFS5C410NL, IPB013N04NG