时间：2025/4/28 18:08:35
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FDMC86262P 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，属于 Fairchild（现为 ON Semiconductor）公司的产品线。该器件采用 N 沟道增强型技术，适用于高频开关应用和功率转换电路。其封装形式为 DPAK（TO-252），能够提供高效的功率处理能力和较低的导通电阻，非常适合用于电源管理、电机驱动以及负载开关等场景。
这款 MOSFET 的主要特点是具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下减少功率损耗，同时具备快速的开关速度以适应高频工作环境。此外，它还支持较高的连续漏极电流，有助于提高系统的整体效率。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：43A
脉冲漏极电流：130A
导通电阻（Rds(on)）：2.6mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：74nC
总电容：1390pF
开关时间：ton=10ns, toff=19ns
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在大电流条件下显著降低功耗。
2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
3. 高电流承载能力，支持高达 43A 的连续漏极电流。
4. 小型化封装设计（DPAK），便于在紧凑型电路中使用。
5. 良好的热性能，有助于提高系统稳定性。
6. 支持宽范围的工作温度（-55°C 至 +150°C），适合各种工业及汽车级应用。
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC 转换器中的同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 负载开关及保护电路。
5. 各类电池管理系统（BMS）中的功率管理单元。
6. 汽车电子设备中的功率调节模块。
IRLB8748PBF, FDP5500P, AO6402
