时间：2025/7/18 19:52:51
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FDMC8321LDC 是由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产的一款高性能 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源管理和功率转换应用而设计。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高功率密度和优异的热性能。FDMC8321LDC 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及同步整流器等应用中。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：100A
导通电阻 Rds(on) @Vgs=10V：4.2mΩ
导通电阻 Rds(on) @Vgs=4.5V：6.8mΩ
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：PowerTrench?
安装类型：表面贴装（SMD）
FDMC8321LDC 采用先进的 PowerTrench? 技术制造，具有极低的导通电阻，从而显著降低导通损耗并提高整体系统效率。在 Vgs=10V 时，Rds(on) 仅为 4.2mΩ，而在 Vgs=4.5V 时为 6.8mΩ，这使得该器件适用于宽范围的栅极驱动电压设计。
该 MOSFET 的最大漏极电流可达 100A，在高功率应用中表现出色。此外，其热阻较低，有助于在高电流条件下保持良好的热性能，减少对散热器的需求，从而简化 PCB 设计并降低整体成本。
器件的栅极驱动电压范围宽（最高 ±20V），具有良好的抗干扰能力和稳定性。此外，FDMC8321LDC 的封装形式为表面贴装（SMD），适用于自动化生产流程，提高生产效率。
其工作温度范围从 -55°C 到 175°C，适合在极端温度环境下工作，具备出色的环境适应性和可靠性。这使得该器件广泛应用于汽车电子、工业控制、通信设备和消费类电子产品中的功率管理模块。
FDMC8321LDC 主要用于需要高效功率转换和高电流能力的场景。典型应用包括同步降压转换器、DC-DC 转换器、电机驱动、电池管理系统、电源管理模块以及负载开关电路。
在服务器和通信电源系统中，FDMC8321LDC 可用于构建高效率的多相位 VRM（电压调节模块），提供稳定的电源输出。此外，其低导通电阻和高电流能力也使其适用于笔记本电脑、平板电脑等便携设备中的电源管理系统。
在汽车电子领域，该器件可应用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、车身控制模块等，满足汽车环境对可靠性和热性能的高要求。
此外，FDMC8321LDC 也适用于高频开关应用，如 LLC 谐振转换器和同步整流电路，帮助提升系统整体效率并减小电源模块的体积。
Si7483BDN-T1-GE3, IPB013N03L G, IRF6723TRPBF
