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FDMC7678 发布时间 时间:2025/5/29 1:55:05 查看 阅读:10

FDMC7678 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,适用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够在高频工作条件下保持高效率。
  其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK,能够有效降低热阻并提升散热性能,确保在高功率应用场景下的稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:50A
  导通电阻:1.2mΩ
  总栅极电荷:45nC
  开关时间:ton=13ns, toff=28ns
  结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

FDMC7678 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),使其在高电流应用中减少功率损耗。
  2. 快速的开关速度,适合高频电路设计,从而减小磁性元件体积和提高系统效率。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 内置反向恢复二极管,有助于降低开关噪声并优化同步整流性能。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足全球法规要求。

应用

FDMC7678 广泛应用于多种功率转换场景,包括但不限于:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 的主开关或同步整流器。
  2. DC-DC 转换器中的高侧或低侧开关。
  3. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
  4. 汽车电子系统的负载切换和保护。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

FDMC7677, FDMC7679, IRFZ44N

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FDMC7678参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.3 毫欧 @ 17.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs39nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2410pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装MLP(3.3x3.3)
  • 包装带卷 (TR)