类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：5.9A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：17mΩ（最大值，典型值可能更低）
　　最大功耗（Pd）：3.2W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SO-8

FDMC7662S采用了飞兆半导体的PowerTrench?技术，这是一种先进的沟槽式功率MOSFET制造工艺，能够显著降低导通电阻并优化开关损耗。这种技术使得FDMC7662S在低电压应用中具有极高的效率。
　　该MOSFET的低Rds(on)值（17mΩ）意味着在导通状态下功率损耗较低，从而提高了系统的整体效率，并减少了散热需求。此外，低Rds(on)也有助于降低系统温度，提高稳定性和可靠性。
　　FDMC7662S的栅极电荷（Qg）较低，这有助于减少高频开关应用中的驱动损耗。其快速开关特性使其非常适合用于同步整流器和DC-DC转换器等高频率开关电路。
　　该器件的封装为SO-8，是一种小型化的表面贴装封装，便于在PCB上安装，并提供良好的热管理和电气性能。这种封装形式也使得FDMC7662S非常适合空间受限的应用，如便携式电子产品和小型电源模块。
　　此外，FDMC7662S具有良好的热稳定性，并能够在宽温度范围内可靠工作。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车级应用。

FDMC7662S广泛应用于需要高效能功率管理的电子系统中。最常见的应用包括同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电机控制电路以及电池管理系统。
　　在同步整流器中，FDMC7662S的低Rds(on)和快速开关特性可以显著提高整流效率，减少能量损耗，适用于开关电源（SMPS）和隔离式电源转换器。
　　在DC-DC转换器中，FDMC7662S作为主开关或同步整流器使用，能够在高频条件下提供高效率和低功耗，适用于便携式设备、服务器电源和嵌入式系统。
　　作为负载开关，FDMC7662S可用于控制电源供应给不同负载，适用于电池供电设备、移动设备和智能电源管理系统。
　　在电机控制应用中，FDMC7662S可用于H桥电路或PWM控制电路，提供高效的电机驱动能力，适用于电动工具、机器人和自动化控制系统。
　　此外，FDMC7662S也可用于LED驱动器、电源适配器、UPS（不间断电源）和工业自动化设备。

Si7662DN, FDC6662, NVTFS5C471NL, FDMC7680