FDMC6683 时间：2025/12/29 13:12:28 阅读：11

FDMC6683是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的N沟道功率MOSFET，主要用于高性能电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等场合。该器件采用了先进的PowerTrench?技术，能够在高频率下工作，同时保持较低的导通电阻和开关损耗。FDMC6683采用5引脚的DFN封装（Dual Flat No-lead），具有良好的散热性能和紧凑的设计，适合空间受限的高密度电路设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：7.0A
　　导通电阻（RDS(on)）：21mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：5-DFN（5.0mm x 6.0mm）

特性

FDMC6683具备一系列优异的电气和物理特性。其低导通电阻（RDS(on)）可以显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。该MOSFET采用安森美的PowerTrench?技术，通过优化的沟槽结构降低开关损耗，使得在高频应用中表现更为出色。此外，FDMC6683的工作温度范围宽达-55°C至+175°C，适应了多种复杂的工作环境，增强了器件的可靠性。
　　该器件的5引脚DFN封装不仅提供了良好的热管理能力，还减少了封装的寄生电感，有助于提升高频开关性能。FDMC6683的栅极驱动电压范围为±20V，兼容多种常见的驱动电路设计，提高了设计的灵活性。此外，其高雪崩能量耐受能力确保在极端工作条件下也能保持稳定运行，适用于要求严苛的工业和汽车应用。
　　在安全性和保护方面，FDMC6683具备良好的短路耐受能力，能够有效应对突发的过载情况。同时，其内部结构设计优化了热阻，使得在高电流负载下也能维持较低的温升，延长器件的使用寿命。