时间：2025/4/29 14:13:29
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FDMC6679AZ是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）制造。该器件属于N沟道增强型功率MOSFET系列，主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等领域。其设计旨在提供高效率和低功耗特性，同时支持快速开关操作。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：24A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：18nC
开关速度：快速
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55℃至150℃
FDMC6679AZ具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低功率损耗。
2. 快速开关能力，适用于高频应用环境。
3. 高击穿电压，确保在高压条件下的稳定运行。
4. 优化的栅极电荷设计，减少驱动功耗。
5. 强大的散热性能，支持高电流密度。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 汽车电子系统
4. 工业电机控制
5. 负载开关和保护电路
6. 电池管理系统（BMS）
7. LED驱动器
FDMC6679A, FDMC6679AZTR, FDMC6679ATR
