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FDMC4435BZ 发布时间 时间:2024/8/8 18:00:39 查看 阅读:280

FDMC4435BZ是一款采用飞兆半导体先进的PowerTrench?工艺生产的P沟道MOSFET。它经过特别定制,可最大限度地降低导通电阻。它非常适合便携式电池组中常见的负载切换应用。

特性

VGS=-10 V,ID=-8.5 A时,最大rDS(on)=20 mΩ
  VGS=-4.5 V,ID=-6.3 A时,最大rDS(on)=37 mΩ
  适用于电池应用的扩展VGSS范围(-25 V)
  用于极低rDS(on)的高性能沟槽技术
  高功率和电流处理能力
  HBM ESD保护等级典型值>7 kV(注4)
  100%UIL测试
  端子无铅,符合RoHS标准

技术参数

针脚数:8
  漏源极电阻:0.015Ω
  耗散功率:31 W
  阈值电压:1.9 V
  漏源极电压(Vds):30 V
  上升时间:6 ns
  输入电容(Ciss):1540pF 15V(Vds)
  额定功率(Max):2.3 W
  下降时间:20 ns
  工作温度(Max):150℃
  工作温度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):2300 mW

物理参数

材质:Silicon
  工作温度:-55℃~150℃

符合标准

RoHS标准:RoHS Compliant
  含铅标准:Lead Free

其他

产品生命周期:Active
  包装方式:Tape&Reel(TR)
  制造应用:Power Management,Portable Devices

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FDMC4435BZ参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 8.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs46nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2045pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-MLP,Power33
  • 供应商设备封装MLP(3.3x3.3)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDMC4435BZTR