FDMC4435BZ是一款采用飞兆半导体先进的PowerTrench?工艺生产的P沟道MOSFET。它经过特别定制,可最大限度地降低导通电阻。它非常适合便携式电池组中常见的负载切换应用。
VGS=-10 V,ID=-8.5 A时,最大rDS(on)=20 mΩ
VGS=-4.5 V,ID=-6.3 A时,最大rDS(on)=37 mΩ
适用于电池应用的扩展VGSS范围(-25 V)
用于极低rDS(on)的高性能沟槽技术
高功率和电流处理能力
HBM ESD保护等级典型值>7 kV(注4)
100%UIL测试
端子无铅,符合RoHS标准
针脚数:8
漏源极电阻:0.015Ω
耗散功率:31 W
阈值电压:1.9 V
漏源极电压(Vds):30 V
上升时间:6 ns
输入电容(Ciss):1540pF 15V(Vds)
额定功率(Max):2.3 W
下降时间:20 ns
工作温度(Max):150℃
工作温度(Min):-55℃
耗散功率(Max):2300 mW
材质:Silicon
工作温度:-55℃~150℃
RoHS标准:RoHS Compliant
含铅标准:Lead Free
产品生命周期:Active
包装方式:Tape&Reel(TR)
制造应用:Power Management,Portable Devices