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FDMA905P 发布时间 时间:2025/5/31 2:58:38 查看 阅读:13

FDMA905P是一种高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关和放大应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于电源管理、电机驱动和信号调节等领域。
  FDMA905P属于N沟道增强型MOSFET,能够提供高效的电流控制和优秀的热性能,同时具备较强的耐用性和可靠性,适合在高功率和高频场景下工作。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:14A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:27nC
  总电容:1080pF
  开关时间:ton=13ns, toff=18ns

特性

FDMA905P的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,可有效降低功率损耗并提高效率。
  2. 快速的开关速度,适用于高频开关应用。
  3. 高度可靠的性能,能够在恶劣环境下稳定工作。
  4. 优化的热设计,确保器件在高功率应用中保持较低的工作温度。
  5. 小巧的封装尺寸,便于电路板布局和设计集成。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子设备的要求。

应用

FDMA905P广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率转换。
  2. DC-DC转换器中的高效开关元件。
  3. 电机驱动器中的功率级控制。
  4. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
  5. 各类工业自动化设备中的信号调节与功率控制。
  6. 汽车电子系统中的电源管理和电机控制模块。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5802
  STP14NF06L

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FDMA905P参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16 毫欧 @ 10A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs29nC @ 6V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3405pF @ 6V
  • 功率 - 最大900mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装6-MLP(2x2)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDMA905PFSTR