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FDMA8884 发布时间 时间:2025/8/2 7:12:29 查看 阅读:26

FDMA8884是一款由富士通半导体(Fujitsu Semiconductor)推出的功率MOSFET器件,属于其高压功率MOSFET产品线的一部分。该器件主要用于高电压、高电流的应用场合,具备低导通电阻(Rds(on))和良好的热性能,适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、电池管理系统以及工业自动化设备等场景。FDMA8884采用先进的封装技术,能够在较高的工作温度下保持稳定的性能,同时具备较高的可靠性和较长的使用寿命。该器件通常采用表面贴装封装形式,便于在PCB上进行安装和散热管理。

参数

类型:功率MOSFET
  漏源电压(Vds):80V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):120A(在Tc=25℃)
  导通电阻(Rds(on)):5.3mΩ(最大值,Vgs=10V时)
  功率耗散(Pd):300W
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装类型:表面贴装(如PowerFLAT或类似封装)

特性

FDMA8884的主要特性之一是其非常低的导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高整体效率。在Vgs=10V时,Rds(on)最大为5.3mΩ,这使得该器件在高电流应用中表现优异。此外,该器件的漏源电压为80V,能够在较高的电压环境下稳定工作。
  另一个关键特性是其高电流承载能力。FDMA8884的连续漏极电流可达120A,在高功率应用中能够有效处理大电流负载,而不会导致过热或性能下降。这种能力使其非常适合用于高性能电源转换系统和电机控制电路。
  FDMA8884还具备良好的热管理和散热性能。由于其高功率耗散能力(300W),该器件可以在高温环境下长时间运行,而不影响其电气性能或可靠性。这种特性对于工业级应用尤为重要,因为在这些应用中,设备通常需要在恶劣的工作条件下长时间运行。
  此外,该器件的工作温度范围为-55℃至175℃,适用于各种极端环境条件。这种宽温度范围使得FDMA8884能够在高温或低温环境中保持稳定的工作状态,确保系统的可靠运行。
  最后,FDMA8884采用了表面贴装封装形式,这种封装方式不仅节省了PCB空间,还提高了安装的稳定性和散热效率。对于需要高密度设计和高性能的电子设备来说,这种封装方式是一个理想的选择。

应用

FDMA8884广泛应用于多种高功率电子系统中,特别是在需要高电流和低导通损耗的场合。例如,在DC-DC转换器中,该器件可以用于高效的电源转换,帮助提高系统的整体效率并减少发热。在电机控制系统中,FDMA8884可以作为功率开关,控制电机的启停和转速调节,适用于工业自动化设备和电动工具。
  此外,FDMA8884也常用于电池管理系统(BMS)中,作为高电流开关器件,控制电池的充放电过程。在电动车、储能系统和不间断电源(UPS)中,这种高电流能力的MOSFET可以有效管理大容量电池组的能量流动。
  在工业电源和服务器电源系统中,FDMA8884可以作为主功率开关,提供高效的电源转换和稳定的电流输出。其高可靠性和良好的热管理性能使其成为这些应用的理想选择。
  在消费类电子产品中,FDMA8884也可以用于高功率电源适配器、大功率LED照明系统以及高性能音频放大器等应用场景。

替代型号

FDMA8884的替代型号包括FDMA8886、FDMS8884、FDMS8896等。这些型号在电气性能、封装形式和应用场景上与FDMA8884相似,可以根据具体需求进行选择和替换。

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FDMA8884参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C23 毫欧 @ 6.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs7.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds450pF @ 15V
  • 功率 - 最大700mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-WFDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装6-MLP(2x2)
  • 包装带卷 (TR)