时间：2025/8/2 7:27:38
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FDMA7672是一款由Fairchild Semiconductor（现为onsemi的一部分）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率电源管理应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力。FDMA7672广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及各种电源管理模块中。其采用先进的PowerTrench?技术，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET采用8引脚SOIC封装，具备良好的热性能和空间利用率，适合在高密度电路设计中使用。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）@25°C：6.4A
漏极电流（Id）@100°C：4.1A
导通电阻（Rds(on)）@4.5V：17mΩ
导通电阻（Rds(on)）@2.5V：25mΩ
导通电阻（Rds(on)）@1.8V：35mΩ
栅极电荷（Qg）@4.5V：16nC
输入电容（Ciss）：540pF
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：8-SOIC
FDMA7672的主要特性之一是其低导通电阻，这使得在高电流应用中可以显著降低导通损耗，从而提高整体系统效率。在Vgs为4.5V时，Rds(on)仅为17mΩ，而在1.8V的栅极驱动电压下，该值也仅为35mΩ，这使其非常适合用于低电压驱动的应用，如便携式设备或低功耗系统。
此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力，能够在25°C下持续通过6.4A的漏极电流，在高温环境下（100°C）仍能保持4.1A的电流能力，显示出良好的热稳定性。其栅极电荷（Qg）为16nC（在4.5V下），较低的Qg有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能。
FDMA7672采用了先进的PowerTrench?技术，这项技术通过优化沟槽结构，降低了Rds(on)，并提升了器件的热性能。同时，其8引脚SOIC封装不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，适用于高密度PCB布局。
该器件的输入电容（Ciss）为540pF，这在高频开关应用中对驱动电路的影响较小，减少了驱动功率的消耗。此外，FDMA7672具有良好的栅极氧化层可靠性，能够承受±20V的栅源电压，提供更强的抗过压能力。
FDMA7672主要应用于需要高效能、小体积功率MOSFET的场合。常见的应用包括同步整流型DC-DC转换器、负载开关控制、电池管理系统（BMS）中的充放电控制、电源管理模块以及各种便携式电子设备中的功率控制电路。
FDMA7672CZ、FDMA7680CZ、FDMA7670CZ、FDMA7678CZ
