时间：2025/5/26 21:41:05
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FDMA530PZ是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的高压MOSFET器件，采用TO-263封装形式。该器件专为高效率、高频开关应用而设计，适合于各类电源管理场景，例如DC-DC转换器、逆变器和电机驱动等。其出色的开关特性和低导通电阻使其在功率转换领域具有广泛的应用前景。
FDMA530PZ的核心特性在于它能够提供较高的击穿电压（通常为500V或以上），并具备较低的导通电阻以减少能量损耗。此外，该器件还集成了先进的工艺技术，从而提升了整体性能表现。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：1.7A
导通电阻（典型值，在Vgs=10V时）：4.8Ω
栅极电荷（典型值）：7nC
总功耗：2W
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-263
1. 高击穿电压确保了该器件能够在高压环境下稳定运行。
2. 较低的导通电阻有效减少了导通状态下的功率损耗。
3. 优化的栅极电荷设计使得开关速度更快，从而降低了开关损耗。
4. 适用于高频开关应用，如开关电源和PWM控制器。
5. 封装形式紧凑，易于集成到各种电路设计中。
6. 广泛的工作温度范围增强了其在恶劣环境中的可靠性。
1. 开关电源（SMPS）中的高频开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关元件。
3. 逆变器电路中的功率开关。
4. 各类电机驱动应用中的功率控制元件。
5. 电池管理系统中的负载切换开关。
6. 用于保护电路中的过压或短路检测与隔离功能。
IRF540N
FDP5500
STP17NF50
IXYS IXFN50N50T2
