类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：-30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-7.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：140 mΩ @ Vgs = -10V
　　导通电阻（Rds(on)）：190 mΩ @ Vgs = -4.5V
　　功率耗散：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

FDMA507PZDKR-ND 具有低导通电阻，使其在高电流应用中具备较低的功率损耗，从而提高系统效率。
　　该 MOSFET 支持高达 -7.5A 的连续漏极电流，适用于中等功率的负载开关和电源管理电路。
　　其栅极驱动电压范围宽，支持 -10V 和 -4.5V 驱动，兼容多种控制器和驱动电路设计。
　　此外，该器件具有良好的热稳定性，采用 8-SOIC 封装，具备良好的散热性能，适用于紧凑型 PCB 设计。
　　FDMA507PZDKR-ND 还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。
　　该器件符合 RoHS 环保标准，适合广泛工业和消费类应用。

FDMA507PZDKR-ND 主要应用于电源管理系统、电池供电设备、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及各种需要高效 P 沟道 MOSFET 的电路中。
　　其低导通电阻和良好的热性能使其特别适合用于便携式电子设备和高密度电源系统。
　　在工业控制和自动化系统中，该 MOSFET 可用于控制高功率负载的开关操作。
　　此外，它也可用于热插拔电路、电源多路复用器以及保护电路设计中。

Si4435DY-T1-GE3, FDS4435BZ, FDMA507N, NDS355AN, IRML2502TRPBF