时间：2025/12/24 0:57:01
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FDMA410NZ-T 是一款基于硅技术的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换等场景。该器件具有较低的导通电阻，可以有效减少功率损耗并提高系统效率。
FDMA410NZ-T 使用了先进的封装工艺，确保其具备优异的散热性能和可靠性，同时支持高频开关应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：58A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：90nC
开关时间：开启延迟时间 15ns，下降时间 13ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：D2PAK-7 (TO-263-7)
FDMA410NZ-T 的主要特点是低导通电阻和高电流承载能力，使其非常适合大功率应用。此外，该器件还具备以下优势：
1. 极低的 Rds(on)，可显著降低传导损耗。
2. 快速开关速度，适合高频操作环境。
3. 内置反向恢复二极管，能够优化同步整流性能。
4. 高雪崩击穿能量（EAS），提供强大的鲁棒性。
5. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
这些特性共同保证了 FDMA410NZ-T 在多种工业及消费电子领域中的出色表现。
该 MOSFET 器件适用于各种高效能电力转换场景，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）设计。
2. 同步整流电路。
3. 电动工具和家用电器中的电机控制。
4. 新能源汽车的电池管理系统。
5. 工业自动化设备中的负载切换。
凭借其卓越的电气特性和稳定性，FDMA410NZ-T 成为众多工程师在高性能功率管理应用中的首选。
FDMA410NZ, IRFZ44N, FDP5570NZ
