时间：2025/8/25 0:14:43
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FDMA1027是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用中。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力等优点，适合在DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电源分配系统中使用。FDMA1027采用先进的封装技术，具有良好的热性能和可靠性，能够在高频率和高负载条件下稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：12A（最大）
导通电阻（RDS(on)）：27mΩ @ VGS = 10V
导通电荷（Qg）：16nC（典型）
输入电容（Ciss）：730pF（典型）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：PowerTrench? TSSOP-8
FDMA1027采用ON Semiconductor先进的PowerTrench?技术制造，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了整体效率。其27mΩ的RDS(on)值在VGS为10V时表现优异，适用于高效率的电源转换应用。
该MOSFET具备高电流承载能力，能够支持高达12A的连续漏极电流，适合用于高功率密度设计。此外，FDMA1027的栅极电荷（Qg）较低，仅为16nC，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的效率。
在封装方面，FDMA1027采用了TSSOP-8封装，这种封装形式不仅体积小巧，而且具有良好的热管理性能，能够在高功率应用中有效散热。其热阻（RθJA）为40°C/W，确保在高负载条件下依然保持稳定的温度表现。
FDMA1027的工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，适用于各种恶劣环境条件下的工业和汽车应用。此外，该器件符合RoHS标准，具有环保和无铅特性，适用于现代电子产品对环保的严格要求。
FDMA1027适用于多种电源管理应用，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统以及电源分配系统等。其低导通电阻和高效率特性使其在高功率密度和高频开关应用中表现出色，尤其适合用于便携式设备、服务器电源、电信设备和工业控制系统中。
FDMA1027的替代型号包括SiSS1027DT-T1-GE3、IRLH5027、FDS4827、FDMA1027S
