类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：11.5A
　　功耗（PD）：3.8W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-223

FDM6296具有多项优良的电气和物理特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）在4.5V栅极驱动电压下可低至约0.015Ω，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。此外，该器件具有快速开关特性，能够有效减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关电源设计。
　　FDM6296采用SOT-223封装，具有良好的热性能和机械稳定性，能够在较为严苛的工作环境下保持稳定运行。其小型化封装设计也有利于节省PCB空间，适用于紧凑型电子设备设计。
　　该MOSFET具有较高的热阻（RθJA），能够在不使用额外散热片的情况下，承受一定范围内的高功率操作。此外，FDM6296的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的负担，提高开关速度和系统响应能力。
　　在可靠性方面，FDM6296通过了严格的工业标准测试，确保其在长时间运行和高负载条件下的稳定性和耐用性。该器件具有良好的抗静电（ESD）保护能力，能够有效防止在生产和使用过程中因静电放电而造成的损坏。

FDM6296广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。常见用途包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池充电管理电路以及各种便携式电子设备中的功率开关元件。
　　在计算机和服务器电源系统中，FDM6296常用于VRM（电压调节模块）和POL（负载点电源）设计，以实现高效的电源转换和稳定的电压输出。在工业自动化和控制设备中，该器件可用于驱动继电器、电磁阀和其他功率负载。
　　由于其高效率和小尺寸特性，FDM6296也广泛应用于无人机、智能机器人、电动车和电动工具等新兴领域的电源管理系统中。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该MOSFET可用于电源管理IC（PMIC）的外围功率开关，实现对不同功能模块的高效供电和断电控制。

Si2302DS, AO3400A, FDN340P, FDS6680, NTD14N03R2