时间：2025/5/7 14:10:37
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FDJ128N是一款高性能的N沟道功率MOSFET，主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效能和低导通电阻的应用场景。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有出色的电气性能和可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：128A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：55nC
开关时间：ton=12ns, toff=9ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
FDJ128N具有低导通电阻的特点，能够显著降低功耗并提高系统效率。此外，其快速的开关速度使得它非常适合高频应用环境。
该器件具备优异的热稳定性，在高温环境下依然可以保持稳定的性能输出。
内置ESD保护功能增强了芯片的抗静电能力，从而提高了整体的可靠性。
采用标准的TO-247封装形式，便于安装和散热设计。
广泛应用于工业控制领域中的电机驱动电路；通信设备中的电源管理模块；消费类电子产品里的充电器与适配器；以及新能源汽车的逆变器和DC-AC转换系统等场景。由于其强大的电流承载能力和高效的能量转换特性，特别适合需要高功率密度的设计方案。
IRF1405Z, FDP150N06L, IXFN150N06T2
