时间：2025/4/29 10:47:23
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FDG8842CZ是一款高性能的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），主要用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。该器件采用了先进的半导体工艺技术，具有出色的电气特性和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
这款MOSFET以其低导通电阻和快速开关速度著称，能够在高频应用中提供卓越的性能表现。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±12V
持续漏极电流(Id)：26A
导通电阻(Rds(on))：5.5mΩ
栅极电荷(Qg)：27nC
总功耗(Ptot)：120W
工作温度范围(Tj)：-55℃至+175℃
FDG8842CZ具备低导通电阻的特点，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
该器件具有高雪崩能量能力，增强了其在异常条件下的耐受能力。
此外，它还拥有快速开关速度，非常适合高频应用场景。
其封装形式紧凑，有助于减少PCB空间占用，同时提高了散热性能。
FDG8842CZ符合RoHS标准，确保了环保要求。
该MOSFET适用于多种领域，包括但不限于直流-直流转换器、开关电源、电机驱动、负载开关以及电池保护电路等应用。
在消费类电子产品中，它可用于笔记本电脑适配器、平板电脑充电器和智能家电等产品。
在工业领域，FDG8842CZ可用于工业自动化设备、可编程逻辑控制器(PLC)及不间断电源(UPS)系统。
此外，在汽车电子领域，该器件也可用于车载充电器、LED驱动器和电动助力转向系统等。
IRF3710, FDP5500, STP26NF06L
