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FDG6322C_D87Z 发布时间 时间:2023/12/19 18:02:49 查看 阅读:282

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFETs - 阵列
FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4 欧姆 @ 220mA, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss):25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:220mA, 410mA
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:0.4nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :9.5pF @ 10V
功率 - 最大:300mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70-6,SC-88,SOT-363
包装:带卷 (TR)

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FDG6322C_D87Z参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C220mA,410mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 欧姆 @ 220mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs0.4nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds9.5pF @ 10V
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SC-70-6
  • 包装带卷 (TR)