时间：2025/5/12 12:43:00
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FDG6303N是一款由Fairchild（现为Onsemi安森美）生产的增强型P沟道功率MOSFET。该器件采用Trench工艺技术制造，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，非常适合用于电源管理、负载切换、电机控制以及DC-DC转换器等应用中。其小尺寸封装（SOT-23）使其在空间受限的设计中非常有用。
最大漏源电压：-40V
连续漏极电流：-1.5A
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ（典型值，在Vgs=-4.5V时）
栅极电荷：9nC（典型值）
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55℃至+150℃
低导通电阻确保了较低的传导损耗。
快速开关性能使得该器件适合高频应用。
高静电放电（ESD）保护提高了器件的可靠性。
Trench技术提供了更优的电气特性和热性能。
SOT-23封装小巧轻便，适用于空间有限的设计环境。
符合RoHS标准，环保且满足全球法规要求。
电源管理电路中的负载开关。
DC-DC转换器中的同步整流或开关元件。
电池供电设备中的电源路径管理。
电机驱动中的开关元件。
消费电子产品的过流保护和短路保护。
通信设备中的信号切换和电源切换功能。
Si4420DP, BSS84P, FDD6630
