FDG6303N是一款由Fairchild(现为Onsemi安森美)生产的增强型P沟道功率MOSFET。该器件采用Trench工艺技术制造,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,非常适合用于电源管理、负载切换、电机控制以及DC-DC转换器等应用中。其小尺寸封装(SOT-23)使其在空间受限的设计中非常有用。
最大漏源电压:-40V
连续漏极电流:-1.5A
导通电阻(Rds(on)):75mΩ(典型值,在Vgs=-4.5V时)
栅极电荷:9nC(典型值)
开关速度:快速开关
工作温度范围:-55℃至+150℃
低导通电阻确保了较低的传导损耗。
快速开关性能使得该器件适合高频应用。
高静电放电(ESD)保护提高了器件的可靠性。
Trench技术提供了更优的电气特性和热性能。
SOT-23封装小巧轻便,适用于空间有限的设计环境。
符合RoHS标准,环保且满足全球法规要求。
电源管理电路中的负载开关。
DC-DC转换器中的同步整流或开关元件。
电池供电设备中的电源路径管理。
电机驱动中的开关元件。
消费电子产品的过流保护和短路保护。
通信设备中的信号切换和电源切换功能。
Si4420DP, BSS84P, FDD6630