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FDG6303N 发布时间 时间:2025/5/12 12:43:00 查看 阅读:20

FDG6303N是一款由Fairchild(现为Onsemi安森美)生产的增强型P沟道功率MOSFET。该器件采用Trench工艺技术制造,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,非常适合用于电源管理、负载切换、电机控制以及DC-DC转换器等应用中。其小尺寸封装(SOT-23)使其在空间受限的设计中非常有用。

参数

最大漏源电压:-40V
  连续漏极电流:-1.5A
  导通电阻(Rds(on)):75mΩ(典型值,在Vgs=-4.5V时)
  栅极电荷:9nC(典型值)
  开关速度:快速开关
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

低导通电阻确保了较低的传导损耗。
  快速开关性能使得该器件适合高频应用。
  高静电放电(ESD)保护提高了器件的可靠性。
  Trench技术提供了更优的电气特性和热性能。
  SOT-23封装小巧轻便,适用于空间有限的设计环境。
  符合RoHS标准,环保且满足全球法规要求。

应用

电源管理电路中的负载开关。
  DC-DC转换器中的同步整流或开关元件。
  电池供电设备中的电源路径管理。
  电机驱动中的开关元件。
  消费电子产品的过流保护和短路保护。
  通信设备中的信号切换和电源切换功能。

替代型号

Si4420DP, BSS84P, FDD6630

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FDG6303N参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C500mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C450 毫欧 @ 500mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs2.3nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds50pF @ 10V
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SC-70-6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDG6303NTR