时间：2025/4/29 14:00:34
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FDG313N是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于功率管理、开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，从而能够显著降低功耗并提高系统效率。
FDG313N的主要特点包括低栅极电荷、高电流处理能力和出色的热性能，适用于各种需要高效能和高可靠性的电子应用。其封装形式通常为SOT-23或类似的表面贴装封装，便于在紧凑型设计中使用。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：1.4A
导通电阻(Rds(on))：170mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：8nC（典型值）
总功耗(Ptot)：450mW
工作温度范围(Ta)：-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on))，有助于减少传导损耗。
2. 快速开关能力，适合高频应用。
3. 高浪涌电流能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 小型化封装（如SOT-23），非常适合空间受限的应用。
5. 热稳定性强，能够在极端温度条件下可靠运行。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源中的同步整流器。
2. 电池供电设备中的负载开关。
3. 便携式电子产品中的电源管理。
4. LED驱动电路中的开关元件。
5. 小型电机控制和驱动。
6. 信号路径保护及ESD防护电路。
AO3400
IRLML6401
FDMC869
Si2302DS
