时间：2025/7/17 21:40:11
阅读：9
FDG1024NZ 是一款高性能的 N 沤道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它广泛应用于各种功率转换和电机驱动应用中，能够有效降低系统功耗并提高效率。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-252（DPAK），适合表面贴装技术（SMT），能够满足紧凑型设计需求。其卓越的电气特性和可靠性使其成为众多电力电子应用的理想选择。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(V_DS)：60V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
最大漏极电流(I_D)：3.8A
导通电阻(R_DS(on))：75mΩ (典型值，V_GS=10V)
栅极电荷(Q_g)：11nC (典型值)
总功耗(P_TOT)：1.1W
工作温度范围(T_J)：-55°C 至 +150°C
FDG1024NZ 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 R_DS(on)，有助于减少传导损耗，提升整体效率。
2. 高速开关能力，支持高频操作，适合开关电源和其他高频应用。
3. 小型 DPAK 封装，节省 PCB 空间，便于实现紧凑型设计。
4. 出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持良好的性能。
5. 高浪涌能力，增强了器件的耐用性和可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
FDG1024NZ 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和 DC-DC 转换。
2. 电机驱动器中的功率级控制。
3. 电池管理系统的充放电控制。
4. LED 驱动电路中的功率开关。
5. 各种消费类电子产品中的负载切换功能。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。
7. 通信设备中的电源管理模块。
IRLML6402, SI2304DS
