类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：15A（在Tc=25℃时）
　　脉冲漏极电流（Idm）：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为0.42Ω（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

FDFF15N60的主要特性之一是其高电压承受能力，支持高达600V的漏源电压，使其适用于高电压输入的电源系统。该器件采用了先进的平面沟槽技术，实现了较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了效率。此外，FDFF15N60具备较高的电流处理能力，可在高负载条件下稳定工作。
　　该MOSFET还具有良好的热稳定性，其封装设计有助于有效散热，确保在高功率应用中的可靠性。栅极驱动电压范围较宽，可在+10V至+20V之间正常工作，便于与不同类型的驱动电路兼容。FDFF15N60内置了快速恢复二极管，有助于减少反向恢复损耗，提高开关性能。
　　此外，该器件具有较强的抗雪崩能力和过载耐受性，能够在异常工作条件下提供额外的安全保障。封装方面，FDFF15N60采用TO-220AB封装，适用于通孔安装，便于在多种电路设计中使用。

FDFF15N60广泛应用于多种功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、逆变器、UPS（不间断电源）、电机驱动器以及电池管理系统。在工业自动化控制中，该MOSFET可用于控制高功率负载，如加热元件、继电器和电动机。此外，FDFF15N60也适用于消费类电子产品中的功率调节电路，如LED照明驱动器、电源适配器和充电器等。
　　在新能源领域，FDFF15N60可用于太阳能逆变器或风力发电系统的功率转换模块中，实现高效的能量转换。由于其具备良好的热管理和高可靠性，该器件在高温环境下也能稳定运行，适用于车载电子设备、工业电源模块以及智能电表等应用场景。

FDPF15N60, FQA15N60C, FGH40N60SMD