时间：2025/8/24 8:06:00
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FDD8879 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率电源转换和功率开关应用，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力。FDD8879 采用先进的平面技术制造，具有良好的热稳定性和可靠性。该 MOSFET 封装为 TO-263（D2Pak）形式，便于安装在 PCB 上并实现良好的散热性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）@25°C：175A
漏极电流（ID）@100°C：110A
导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：≤4.5mΩ
导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：≤6.5mΩ
功率耗散（PD）：250W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
FDD8879 的最大特点是其极低的导通电阻，这使得该器件在高电流条件下能够保持较低的导通损耗，从而提高整体电源转换效率。该 MOSFET 在 VGS=10V 和 VGS=4.5V 两种栅极驱动条件下均能提供优异的 RDS(on) 性能，适用于多种驱动电路设计，包括低压同步整流和电池供电系统。
此外，FDD8879 的封装采用 D2Pak（TO-263）形式，具有良好的热管理能力，能够在高功率负载下保持稳定工作。该器件的热阻（RθJC）低至约 0.5°C/W，确保在高电流应用中能够有效散热，避免热失效。
该 MOSFET 还具备高雪崩能量耐受能力，能够在突发电流冲击下保持稳定运行，适用于汽车电子、电机驱动和电源管理系统等高可靠性要求的场合。FDD8879 的快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高电源系统的整体效率。
FDD8879 广泛应用于高性能电源转换系统，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器以及工业自动化控制系统。由于其高电流能力和低导通电阻，它特别适合用于大功率负载的开关控制，如电动汽车（EV）充电系统、UPS（不间断电源）、服务器电源模块和电源管理单元（PMU）。
此外，该 MOSFET 还可用于汽车电子中的动力总成控制、车载充电器（OBC）以及 LED 照明驱动电路。其高可靠性和良好的热管理性能使其成为高温环境下工作的理想选择。
SiR882DP, FDD8878, FDD8875, FDS8879, IRF1324L2SPBF
