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FDD8878 发布时间 时间:2025/5/13 8:53:12 查看 阅读:2

FDD8878是一款高性能的双通道N沟道MOSFET驱动器,主要用于功率转换应用。该芯片能够有效地驱动外部MOSFET以提高效率和性能。其设计适用于需要高开关速度和低功耗的应用场景,如DC-DC转换器、电机驱动器以及电池管理系统。
  该器件通过优化栅极驱动信号,减少了开关损耗并提高了系统的整体效率。同时,FDD8878具备良好的热稳定性和过流保护功能,确保在复杂工况下的可靠性。

参数

工作电压:4.5V~18V
  输出电流:±0.5A
  传播延迟:60ns(典型值)
  输入电容:2.3pF
  工作温度范围:-40℃~125℃
  封装形式:SOIC-8

特性

FDD8878具有以下显著特性:
  1. 高速驱动能力,可支持高达2MHz的工作频率。
  2. 内置死区时间控制功能,防止直通电流对MOSFET造成损坏。
  3. 低静态功耗,有助于延长便携式设备的电池寿命。
  4. 强大的短路保护机制,增强系统安全性。
  5. 支持宽输入电压范围,适应多种电源环境。
  6. 小型封装尺寸,便于电路板布局和空间优化。

应用

FDD8878广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)及DC-DC转换器。
  2. LED驱动器与背光控制系统。
  3. 消费类电子产品中的电机驱动模块。
  4. 工业自动化设备中的功率管理单元。
  5. 电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统(BMS)。
  6. 可再生能源系统中的逆变器和充电控制器。

替代型号

FAN7382, IR2104, TC4420

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FDD8878参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C40A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15 毫欧 @ 35A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds880pF @ 15V
  • 功率 - 最大40W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDD8878-NDFDD8878TR