类型：双N沟道功率MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：12A（在25°C环境温度下）
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：48A
　　导通电阻(RDS(on))：8.8mΩ（典型值，VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：8引脚SOIC

FDD8847L采用了飞兆半导体的PowerTrench?技术，这种技术通过优化沟槽结构和掺杂分布，实现了极低的导通电阻和开关损耗，提高了器件的整体效率。该MOSFET的双N沟道结构设计使其能够在多个功率应用中并联使用，从而提升整体的电流承载能力。其低RDS(on)特性有助于减少功率损耗，提升系统效率，降低散热需求，从而实现更紧凑的电源设计。
　　此外，FDD8847L具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定工作，延长器件的使用寿命。该器件的高栅极电压容限（±20V）也增强了其在不同驱动条件下的适用性，降低了栅极驱动电路的设计复杂度。其8引脚SOIC封装不仅节省空间，而且便于PCB布局和自动化装配，适用于高密度的电子产品设计。
　　由于其优异的电气性能和可靠性，FDD8847L常用于DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动、负载开关和电源管理模块等应用中，特别适合对效率和热性能要求较高的场合。

FDD8847L广泛应用于多种功率电子系统中，尤其适合需要高效能、高可靠性和高集成度的电源管理场景。在DC-DC转换器中，FDD8847L作为主开关器件使用，能够显著降低导通损耗，提高转换效率。在电池管理系统中，它可用于电池充放电控制和保护电路，确保电池工作的安全性和稳定性。此外，FDD8847L也常用于电机驱动电路中，作为H桥结构中的高端或低端开关，提供高效的电机控制能力。

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　　 "FDMS8848",
　　 "SiSS148",
　　 "NDS8855",
　　 "FDS6680"
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