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FDD8796 发布时间 时间:2025/12/23 22:17:13 查看 阅读:14

FDD8796 是一款高性能的 N 治道功率场效应晶体管(MOSFET),采用先进的制程工艺制造,广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等需要高效能和低导通电阻的应用场景。
  该器件具有出色的热性能和电气特性,能够有效降低功耗并提高系统的整体效率。

参数

型号:FDD8796
  Vds(漏源极击穿电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):4.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  Id(连续漏极电流):82A
  Pd(总功耗):173W
  Qg(栅极电荷):38nC
  Eoss(输出电容能量损耗):90μJ
  封装类型:TO-247

特性

FDD8796 的主要特性包括:
  1. 极低的 Rds(on),可显著降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关速度,减少开关损耗,适用于高频应用。
  3. 高 Id 和 Pd 值,使其能够在大电流条件下稳定运行。
  4. 先进的封装设计,提供优秀的散热性能。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅。
  6. 提供卓越的可靠性和长寿命,适合工业及汽车级应用。

应用

FDD8796 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
  2. 各类 DC-DC 转换器,如降压转换器、升压转换器等。
  3. 电动工具、家用电器中的电机驱动电路。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)和逆变器控制。
  6. 大功率 LED 驱动电路。

替代型号

FDP8796
  IRF8796
  FDMC8796

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FDD8796参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C35A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.7 毫欧 @ 35A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs52nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2610pF @ 13V
  • 功率 - 最大88W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDD8796TR