时间：2025/6/27 11:23:40
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FDD8750是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件适用于需要高效开关和低导通电阻的多种应用场合，其设计特点使其在高频率和高效率要求的电路中表现优异。
这款MOSFET广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关等场景，具有出色的电气性能和可靠性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：39A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：1300pF
总功耗：160W
工作温度范围：-55℃至+175℃
FDD8750具备非常低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高整体效率。
其高雪崩能力使其能够承受瞬态过压情况，增强了系统的可靠性。
该器件还具有快速开关速度，这在高频应用中尤为重要，可以有效降低开关损耗。
FDD8750采用标准TO-220封装，便于安装与散热设计，适合各种功率电子应用需求。
此外，它拥有宽泛的工作温度范围，能够在极端条件下稳定运行。
FDD8750主要应用于开关电源适配器、工业电源、电信设备电源模块、电动工具驱动、汽车电子中的负载切换以及家用电器中的功率管理部分。
由于其高效率和强大的电流处理能力，也非常适合用作同步整流管或降压转换器中的主开关元件。
IRFZ44N
STP36NF06
FQP50N06L
