时间：2025/8/25 0:50:32
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FDD8674L 是一款由富士通（Fujitsu）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于需要高效能和高可靠性的工业和汽车电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：100A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：最大5.5mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-263（表面贴装型）
FDD8674L 具备多项优异特性，使其在功率MOSFET领域表现出色。首先，其导通电阻（RDS(on)）非常低，典型值为5.5毫欧，这意味着在高电流应用中具有更低的导通损耗，从而提高系统效率。其次，该器件支持高达100A的连续漏极电流，非常适合需要大电流驱动能力的应用，如电机控制、DC-DC转换器和负载开关等。
此外，FDD8674L 采用先进的封装技术（TO-263），具备良好的热管理性能，能够在高温环境下稳定运行。其工作温度范围覆盖-55°C至+175°C，适用于极端温度条件下的工业和汽车应用。栅极驱动电压范围为±20V，兼容多种驱动电路设计，同时具备良好的抗干扰能力。
FDD8674L 主要应用于各类高功率密度和高效能的电子系统中。例如，在汽车电子领域，该MOSFET可用于电动助力转向系统（EPS）、车载逆变器、电池管理系统（BMS）以及车载充电器（OBC）等关键部件。在工业自动化方面，FDD8674L 常见于伺服电机驱动器、电源模块和UPS系统中，以实现高效能的功率转换和控制。
此外，FDD8674L 也广泛用于通信设备中的DC-DC转换器和负载开关，以提供稳定可靠的电源管理解决方案。由于其优异的热性能和高电流能力，该器件在太阳能逆变器、储能系统以及工业电机控制中也有广泛应用。
FDMS86180、IRF1405、SiR142DP
