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FDD86252 发布时间 时间:2025/12/24 4:21:11 查看 阅读:25

FDD86252 是一款 N 沣道半导体推出的高性能双极型晶体管(BJT),专为高频开关和线性放大应用设计。该晶体管具有低饱和电压、高增益以及快速开关特性,适用于电源管理、音频放大器及通信设备等领域。
  其封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装,适合高密度电路板设计。

参数

集电极-发射极击穿电压:40V
  集电极电流:-150mA
  直流电流增益(hFE):100~300
  集电极-发射极饱和电压:0.2V(典型值)
  存储温度范围:-55℃~150℃
  工作结温范围:-55℃~150℃
  过渡频率(fT):300MHz

特性

FDD86252 提供了优异的高频性能和开关速度,能够满足现代电子设备对高速和高效能的需求。
  1. 低饱和电压:在高电流条件下表现出较低的压降,减少功耗和发热问题。
  2. 高增益稳定性:宽范围内的 hFE 值保证了器件在不同工作条件下的稳定性和一致性。
  3. 快速开关能力:由于具备较高的过渡频率,它非常适合于高频开关应用,例如 DC-DC 转换器。
  4. 小型化设计:采用 SOT-23 封装,减少了 PCB 占用面积,同时提高了散热性能。

应用

FDD86252 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的驱动级和开关级。
  2. 音频功率放大器中作为驱动晶体管或输出级元件。
  3. 通信系统中的信号放大和调制解调。
  4. 各种消费类电子产品,如智能手机充电器、平板电脑适配器等。
  5. 工业控制领域中的电机驱动和信号调理电路。

替代型号

MJD122, 2SC3358

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FDD86252参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C52 毫欧 @ 5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds985pF @ 75V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDD86252TR