时间：2025/5/26 18:36:28
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FDD6N50TM 是一款 N 沣道通场效应晶体管（MOSFET），适用于高频开关应用和功率转换电路。该器件采用 TO-220 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛应用于电源适配器、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。
其设计优化了开关性能，同时具备出色的热稳定性和可靠性，能够满足工业级和消费级电子产品的严格要求。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：6A
导通电阻：4.5Ω
栅极电荷：13nC
开关时间：ton=75ns, toff=35ns
封装形式：TO-220
FDD6N50TM 的主要特性包括：
1. 高耐压能力：额定漏源电压高达 500V，适合高压应用场景。
2. 低导通电阻：在典型工作条件下，导通电阻仅为 4.5Ω，从而降低功耗并提升效率。
3. 快速开关性能：栅极电荷较小（13nC），确保快速的开关切换，减少开关损耗。
4. 热稳定性强：具备良好的散热性能，能够在较高温度下持续稳定运行。
5. 工业级品质：通过严格的测试和验证流程，确保器件在各种环境下的可靠性和耐用性。
FDD6N50TM 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中，提供高效的功率传输。
2. 电机驱动：适用于中小功率电机控制，支持精准的速度和扭矩调节。
3. 能量回收系统：用于逆变器和能量储存设备中的功率管理。
4. 工业自动化：为各类工业控制设备提供可靠的功率处理能力。
5. 消费电子产品：如家用电器和便携式设备的电源模块。
FQD18N50C
IRF540N
FDP6N50
STP6NK50Z
