时间：2025/12/29 14:48:12
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FDD6760是一款高性能的射频功率晶体管，广泛应用于无线通信系统中的功率放大器模块。该器件采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，具有高效率、高增益和出色的热稳定性。FDD6760特别适用于FDD（频分双工）模式下的4G LTE和5G NR通信基站，能够提供可靠的射频功率输出，满足现代通信网络对高数据速率和广覆盖范围的需求。
类型：射频功率晶体管
技术：LDMOS
封装形式：表面贴装（SMD）
频率范围：2.3 GHz - 2.7 GHz
输出功率：60W（典型值）
增益：>18 dB
效率：>40%
输入阻抗：50Ω
工作电压：28V
工作温度范围：-40°C至+150°C
FDD6760采用了先进的LDMOS工艺，具有优异的射频性能和可靠性。其主要特性包括高输出功率、高增益和高效率，使其非常适合用于高线性度要求的通信系统中。该器件在2.3GHz至2.7GHz频段内提供稳定的性能，支持多种调制格式，如QPSK、QAM等，确保了良好的信号质量。
FDD6760的封装设计优化了散热性能，能够在高功率密度下稳定运行，同时支持表面贴装工艺，便于自动化生产和系统集成。此外，该晶体管具有良好的热稳定性和抗失真能力，适用于长时间高负载运行的应用场景。
该器件还具备出色的抗过载能力和较高的耐用性，能够在恶劣环境下保持稳定工作，适用于工业级和通信级设备。其输入输出阻抗匹配为50Ω，简化了外围电路的设计，提高了系统的整体效率和稳定性。
FDD6760主要用于4G LTE和5G NR通信基站中的射频功率放大器模块，特别是在FDD模式下运行的系统。该器件适用于宏基站、微基站和射频拉远单元（RRU）等通信设备，能够提供高线性度和高效率的射频输出。
此外，FDD6760也可用于无线回传系统、测试设备、工业控制系统以及需要高功率射频放大的应用场景。其高稳定性和高效率特性使其成为现代通信基础设施中的关键组件，支持高速数据传输和广泛的网络覆盖。
由于其频率范围覆盖2.3GHz至2.7GHz，FDD6760还可用于Wi-Fi 5（802.11ac）和Wi-Fi 6（802.11ax）的射频前端模块，适用于高性能无线接入点和路由器。
NXP AFT05MS006N, Cree CGH40010F, Infineon BFP640E6327
