时间：2025/5/7 14:14:52
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FDD6696 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 PDFN3.3-3 封装形式。这款元器件广泛应用于需要低导通电阻和高效率的场景中，例如负载开关、DC/DC 转换器以及电池供电设备等。其卓越的性能使得该器件成为便携式电子设备的理想选择。
FDD6696 的设计特点包括极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著减少传导损耗并提高系统效率。此外，它具备出色的开关特性和热稳定性，确保在各种工作条件下均能保持可靠的性能。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：3.8A
导通电阻（Rds(on)）：15mΩ
栅极电荷：11nC
总电容（Ciss）：1330pF
结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：PDFN3.3-3
FDD6696 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功耗和提升整体效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用场合。
3. 出色的热稳定性，能够承受较高的结温范围。
4. 小型化封装，节省 PCB 空间，非常适合空间受限的设计。
5. 高可靠性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保，满足现代电子产品环保要求。
FDD6696 广泛应用于以下领域：
1. 移动设备中的负载开关。
2. DC/DC 转换器及电源管理模块。
3. 电池供电设备中的功率管理。
4. 通信设备中的信号调节与功率控制。
5. 消费类电子产品中的小型化电源解决方案。
6. 各种便携式电子产品的高效功率转换应用。
FDS6696
