时间：2025/12/29 15:23:25
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FDD6692A 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换应用设计。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具备低导通电阻、高开关速度和高可靠性等特点，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：60A
导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=10V时，典型值为8.5mΩ；@Vgs=4.5V时，典型值为12mΩ
功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：D2PAK（TO-263）
FDD6692A 具备多项优异的电气和热性能。其低导通电阻显著降低了功率损耗，提高了系统效率。该器件在高温环境下依然保持稳定的工作性能，适用于高负载和高温苛刻的应用场景。此外，FDD6692A 的栅极电荷量较低，使得开关速度更快，减少了开关损耗，有助于提高整体系统的响应速度和能效。其先进的封装设计不仅提供了良好的散热性能，还增强了器件的机械稳定性和可靠性，适用于高振动或高温变化的工业和汽车应用。FDD6692A 还具备较强的短路耐受能力，进一步提升了其在复杂电路环境中的适应性。
在电气特性方面，FDD6692A 的阈值电压（Vgs(th)）范围为1.5V至2.5V，确保了在较低的控制电压下仍能有效导通。漏极电流能力在不同工作条件下保持稳定，能够支持高功率密度的设计需求。此外，该器件具有良好的热稳定性，在连续高电流操作下仍能维持较低的温升，从而延长使用寿命并提高系统安全性。FDD6692A 符合 RoHS 环保标准，适用于现代电子设备中对环保要求较高的应用场景。
FDD6692A 适用于多种高功率、高效率的电力电子系统。常见的应用包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）、服务器电源、电信电源、太阳能逆变器、工业自动化设备以及汽车电子系统（如电动助力转向系统、车载充电器等）。其优异的导通和开关性能使其成为高频开关电源中的理想选择，有助于实现更紧凑的设计和更高的能效比。
FDMS7680、FDD6680、SiR3460DP、NTMFS4C10N、IRF3710
