时间：2025/7/12 19:41:59
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FDD6692是一款N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），主要用于高频开关和功率转换应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻、快速开关速度以及高电流处理能力，适用于需要高效能和可靠性的电子电路设计。
其封装形式为SOT-23，体积小巧，适合空间受限的应用场景。由于其优异的性能，FDD6692被广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±10V
持续漏极电流：480mA
导通电阻（典型值）：0.8Ω
栅极电荷：1.5nC
总电容（输入电容）：5pF
功耗：370mW
工作温度范围：-55℃至150℃
FDD6692具有以下主要特性：
1. 低导通电阻确保了较低的传导损耗，提高了整体效率。
2. 快速开关速度使其能够胜任高频操作环境，适合开关电源和DC-DC转换器等应用。
3. 小型SOT-23封装简化了PCB布局，并减少了对安装空间的需求。
4. 高电流承载能力使得它在负载驱动和信号切换方面表现出色。
5. 广泛的工作温度范围增强了其在极端环境下的适应性。
FDD6692适用于多种应用领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器和降压/升压转换器。
3. 电池管理系统的充放电控制。
4. 消费类电子产品中的负载开关和信号切换。
5. 工业自动化设备中的电机驱动和继电器替代方案。
6. 通信设备中的电源管理和信号调节。
FDS6692A, FDN6692
