时间：2025/6/3 9:01:55
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FDD6690S是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的半导体工艺制造，主要用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。该器件具有较低的导通电阻、良好的开关特性和较高的电流处理能力，适用于各种电源管理电路、电机驱动以及负载切换等应用领域。
其封装形式为TO-252(DPAK)，适合表面贴装，有助于提高系统的可靠性和散热性能。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：18A
导通电阻：30mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：140W
工作结温范围：-55℃至175℃
FDD6690S具有以下显著特点：
1. 低导通电阻：在给定的工作条件下，能够有效减少功率损耗，提升效率。
2. 快速开关速度：具备较低的输入电容和栅极电荷，支持高频操作。
3. 高可靠性：通过严格的测试流程，确保在恶劣环境下的稳定运行。
4. 热性能优异：采用DPAK封装，增强了散热能力。
5. ESD保护：内置ESD防护结构，提升了抗静电能力。
该MOSFET适用于多种电力电子应用场合：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和降压转换器。
2. DC-DC转换器及电压调节模块(VRM)。
3. 电池保护和充电管理电路。
4. 电机驱动和逆变器控制。
5. 各类负载开关和保护电路。
FDP5500, IRLZ44N, FDS6680
