时间：2025/6/17 10:03:54
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FDD6685是一种N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够在高频应用中提供高效的性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：29A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：34nC
开关时间：t_on=12ns，t_off=17ns
FDD6685具有低导通电阻和高电流处理能力，这使得它在效率和散热方面表现出色。
此外，其快速的开关速度可以减少开关损耗，并适用于高频转换器设计。
该器件采用DPAK封装形式，有助于提高散热性能，同时具备良好的电气稳定性，能够适应各种复杂的工作环境。
FDD6685适用于多种场景，包括但不限于DC-DC转换器、逆变器、电机驱动、不间断电源（UPS）系统以及负载开关等应用。
在汽车电子领域，它也可以用于电池管理系统（BMS）和电动助力转向系统（EPS）。
由于其低导通电阻和高效能表现，FDD6685是许多高功率密度应用的理想选择。
FDP5580
FDP5590
FDS6680
