时间：2025/5/8 11:31:44
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FDD6680AS是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件适用于高效率、高频开关应用场合，广泛用于电源管理、电机驱动、负载开关和DC-DC转换器等场景。其低导通电阻特性能够有效降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：13A
导通电阻：40mΩ
总栅极电荷：9.5nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至150℃
FDD6680AS具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下为40mΩ，有助于减少传导损耗。
2. 快速开关性能，适合高频操作，降低了开关损耗。
3. 高电流承载能力，支持高达13A的连续漏极电流。
4. 强固的设计使其能够在恶劣环境下可靠运行，例如高温或高湿度条件。
5. 小型化的TO-252封装设计，简化了PCB布局并节省空间。
FDD6680AS适用于多种电力电子应用领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中作为驱动晶体管使用。
3. 负载开关，在需要高效开启/关闭负载电流的应用中。
4. DC-DC转换器的核心开关组件。
5. 各类电池保护电路及过流保护方案中的关键元器件。
FDP5570N, IRFZ44N, STP13NF06L
