时间：2025/4/27 12:44:21
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FDD6676AS 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），采用先进的半导体制造工艺设计，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。该器件广泛应用于需要高效能和高可靠性的电路中，例如电源管理、电机驱动和负载切换等场景。
该 MOSFET 的封装形式为 TO-252（DPAK），适合表面贴装技术（SMT），有助于提高生产效率并降低整体系统成本。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：3.9A
导通电阻：18mΩ
栅极电荷：12nC
开关时间：典型值 15ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
FDD6676AS 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效减少功率损耗并提升系统效率。
2. 快速开关性能，支持高频应用，能够满足现代电子设备对高速开关的需求。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 小型化封装设计，节省 PCB 空间，适用于紧凑型设计。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 出色的热稳定性，确保在高温环境下的长期可靠性。
FDD6676AS 被广泛用于各种电力电子应用中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器的功率开关。
3. 电池保护和管理系统。
4. 电机控制和驱动电路。
5. 负载切换和保护电路。
6. 工业自动化设备中的功率级控制模块。
其高性能和可靠性使其成为众多工业、消费类和汽车电子应用的理想选择。
FDP5574,
FDS6676,
IRLZ44N
