时间：2025/7/10 7:33:05
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FDD6676-NL是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x6-8封装形式。该器件适用于需要高效率和低功耗的应用场合，例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电源管理等。其出色的导通电阻和较低的栅极电荷使其在高频开关应用中表现优异。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：43A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：38nC
总电容：1280pF
工作温度范围：-55℃至175℃
FDD6676-NL具有非常低的导通电阻，仅为1.2mΩ，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。
它还具备快速开关能力，得益于其较小的栅极电荷（38nC），能够在高频应用中保持高效性能。
该器件采用PDFN5x6-8封装，体积小巧且散热性能良好，非常适合空间受限的设计。
其工作温度范围为-55℃至175℃，能够适应极端环境下的应用需求。
FDD6676-NL广泛应用于各种功率电子领域，包括但不限于：
- DC-DC转换器
- 负载开关
- 电机驱动
- 电池管理系统
- 工业电源
- 消费类电子产品中的电源管理模块
FDP5500NL
FDMC119P
IRF7746
