时间：2025/4/25 18:20:53
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FDD6672A 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等需要高效能和低导通电阻的场景。该器件采用了先进的沟槽式结构设计，从而显著降低了导通电阻并提高了整体效率。
其封装形式为 TO-252 (DPAK)，具有良好的散热性能和电气特性，适用于各种中高功率应用场合。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：13.8A
导通电阻：18mΩ（典型值）
栅极电荷：4.9nC
总电容：1380pF
功耗：10W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
FDD6672A 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，确保在大电流条件下仍能保持较低的功耗。
2. 快速开关速度，得益于优化的栅极电荷设计，可减少开关损耗。
3. 高雪崩击穿能量能力，增强了器件在异常情况下的耐用性。
4. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺。
5. 采用 TO-252 封装，易于安装且具备优良的热管理性能。
6. 在高温环境下表现稳定，适合工业级和汽车级应用。
FDD6672A 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和适配器。
2. DC-DC 转换器及逆变器。
3. 电机控制与驱动电路。
4. LED 照明驱动系统。
5. 各类消费电子产品中的功率管理模块。
6. 工业设备中的功率转换解决方案。
由于其出色的性能，该 MOSFET 在需要高效能和高可靠性的应用场景中尤为适用。
FDP5580, IRFZ44N, AO3400A
