时间：2025/8/25 0:29:09
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FDD6670AS_NL 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的双 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的 PowerTrench 技术制造，旨在提供极低的导通电阻和高效率的开关性能。该器件采用 8 引脚表面贴装封装（如 SOIC-8），适用于多种高效率电源管理应用。FDD6670AS_NL 内部集成了两个独立的 N 沟道 MOSFET，可以配置为同步整流器、负载开关、DC-DC 转换器等拓扑结构，特别适合用于笔记本电脑、服务器、电源适配器、电池供电设备等对效率和空间有高要求的系统。
类型：双 N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：30V
漏极电流 Id（连续）：5.9A（每个通道）
导通电阻 Rds(on)：22mΩ @ Vgs = 10V
栅极电压 Vgs：±20V
功耗：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：SOIC-8
FDD6670AS_NL 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。在 Vgs = 10V 时，Rds(on) 仅为 22mΩ，使得该器件在低电压高电流应用中表现优异。
此外，该 MOSFET 具有快速开关能力，减少了开关损耗，适用于高频开关电源设计。其双通道结构允许独立控制每个 MOSFET，从而实现灵活的电路配置，如同步整流或双路负载开关。
该器件采用先进的 PowerTrench 技术，优化了硅片结构，提升了导通性能和热稳定性。同时，其 SOIC-8 封装具有良好的热性能和空间利用率，非常适合高密度 PCB 设计。
FDD6670AS_NL 还具备良好的热保护能力，在高温环境下仍能稳定工作，减少了外部热管理元件的需求，降低了系统成本。其高栅极击穿电压（±20V）确保了在各种驱动条件下器件的可靠性。
另外，该器件符合 RoHS 标准，无铅环保，适用于工业级和消费类电子产品。
FDD6670AS_NL 广泛应用于各种电源管理系统中，尤其是在需要高效、小尺寸解决方案的场合。常见应用包括同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、服务器电源、笔记本电脑电源适配器等。
由于其双通道结构和低导通电阻，FDD6670AS_NL 在同步整流电路中可以显著提高转换效率，减少发热，延长电池寿命。在负载开关应用中，它可用于控制多个独立负载，实现节能和隔离保护功能。
在工业控制和自动化系统中，该器件也可用于电源分配和管理，支持高可靠性和高效率的运行。此外，在便携式设备中，FDD6670AS_NL 的小尺寸封装和低功耗特性使其成为理想的选择。
Si7461DP-T1-GE3, NDS351AN, FDD6670AS
