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FDD6644S 发布时间 时间:2025/6/3 8:59:57 查看 阅读:4

FDD6644S是一款N沟道增强型MOSFET(场效应晶体管),适用于高频开关应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合用于DC-DC转换器、电源管理模块、负载开关等场景。
  其封装形式为SOT-23,这种小型封装使其非常适合空间受限的应用场合。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±10V
  连续漏极电流:1.9A
  导通电阻(Rds(on)):85mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  栅极电荷:3nC(典型值)
  总电容:30pF(输入电容)
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

1. 低导通电阻设计有助于减少功率损耗,提升效率。
  2. 快速开关性能使得器件在高频应用中表现优异。
  3. 小型SOT-23封装便于PCB布局,同时支持表面贴装技术(SMT)。
  4. 高雪崩耐量能力增强了器件的鲁棒性和可靠性。
  5. 宽工作温度范围适应各种环境条件下的应用需求。

应用

1. 开关电源中的同步整流电路。
  2. DC-DC转换器中的开关元件。
  3. 移动设备中的负载开关。
  4. LED驱动器中的电流控制元件。
  5. 电池保护和管理电路中的开关组件。

替代型号

FDD6672S, FDN337N, BSS138

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FDD6644S参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压30 V
  • 闸/源击穿电压+/- 16 V
  • 漏极连续电流66 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0085 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-252
  • 封装Reel
  • 下降时间17 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散57 W
  • 上升时间12 ns
  • 典型关闭延迟时间51 ns