时间：2025/6/3 8:59:57
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FDD6644S是一款N沟道增强型MOSFET（场效应晶体管），适用于高频开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于DC-DC转换器、电源管理模块、负载开关等场景。
其封装形式为SOT-23，这种小型封装使其非常适合空间受限的应用场合。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±10V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻（Rds(on)）：85mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：3nC（典型值）
总电容：30pF（输入电容）
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 低导通电阻设计有助于减少功率损耗，提升效率。
2. 快速开关性能使得器件在高频应用中表现优异。
3. 小型SOT-23封装便于PCB布局，同时支持表面贴装技术（SMT）。
4. 高雪崩耐量能力增强了器件的鲁棒性和可靠性。
5. 宽工作温度范围适应各种环境条件下的应用需求。
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器中的开关元件。
3. 移动设备中的负载开关。
4. LED驱动器中的电流控制元件。
5. 电池保护和管理电路中的开关组件。
FDD6672S, FDN337N, BSS138
