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FDD6644 发布时间 时间:2025/7/8 23:42:41 查看 阅读:6

FDD6644是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用DPAK(TO-252)封装形式。该器件适用于多种开关和调节应用,具有较低的导通电阻(Rds(on)),从而提升效率并减少热量产生。其高雪崩能力确保了在异常条件下也能稳定工作。
  这款MOSFET常用于电源管理、电机驱动、负载开关、DC-DC转换器等场景,能够在高频条件下提供高效的性能表现。

参数

最大漏源电压(Vdss):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):18A
  导通电阻(Rds(on)):35mΩ(在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):37.5W
  结温范围(Tj):-55°C至+150°C
  封装类型:DPAK (TO-252)

特性

1. 超低导通电阻设计,有助于降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 高雪崩击穿能量能力,增强了器件在短路或过载条件下的耐用性。
  3. 快速开关速度,适合高频应用,同时降低了开关损耗。
  4. 符合RoHS标准,环保且无铅焊接兼容。
  5. 具有良好的热性能,便于散热设计,尤其在大电流应用场景下表现优异。

应用

1. 开关模式电源(SMPS),如适配器和充电器。
  2. 直流电机控制与驱动。
  3. 各类负载开关,包括USB端口保护。
  4. 工业自动化设备中的功率调节模块。
  5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制电路。
  6. 汽车电子领域,例如电动座椅调节及车窗升降控制等辅助功能。

替代型号

FDP5802
  IRFZ44N
  STP18NF06L

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FDD6644参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压30 V
  • 闸/源击穿电压+/- 16 V
  • 漏极连续电流67 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0085 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-252
  • 封装Reel
  • 下降时间10 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散68 W
  • 上升时间12 ns
  • 典型关闭延迟时间48 ns