FDD6644是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用DPAK(TO-252)封装形式。该器件适用于多种开关和调节应用,具有较低的导通电阻(Rds(on)),从而提升效率并减少热量产生。其高雪崩能力确保了在异常条件下也能稳定工作。
这款MOSFET常用于电源管理、电机驱动、负载开关、DC-DC转换器等场景,能够在高频条件下提供高效的性能表现。
最大漏源电压(Vdss):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):18A
导通电阻(Rds(on)):35mΩ(在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):37.5W
结温范围(Tj):-55°C至+150°C
封装类型:DPAK (TO-252)
1. 超低导通电阻设计,有助于降低传导损耗,提高系统效率。
2. 高雪崩击穿能量能力,增强了器件在短路或过载条件下的耐用性。
3. 快速开关速度,适合高频应用,同时降低了开关损耗。
4. 符合RoHS标准,环保且无铅焊接兼容。
5. 具有良好的热性能,便于散热设计,尤其在大电流应用场景下表现优异。
1. 开关模式电源(SMPS),如适配器和充电器。
2. 直流电机控制与驱动。
3. 各类负载开关,包括USB端口保护。
4. 工业自动化设备中的功率调节模块。
5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制电路。
6. 汽车电子领域,例如电动座椅调节及车窗升降控制等辅助功能。
FDP5802
IRFZ44N
STP18NF06L