时间：2025/7/8 23:42:41
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FDD6644是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用DPAK（TO-252）封装形式。该器件适用于多种开关和调节应用，具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而提升效率并减少热量产生。其高雪崩能力确保了在异常条件下也能稳定工作。
这款MOSFET常用于电源管理、电机驱动、负载开关、DC-DC转换器等场景，能够在高频条件下提供高效的性能表现。
最大漏源电压(Vdss)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：18A
导通电阻(Rds(on))：35mΩ（在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：37.5W
结温范围(Tj)：-55°C至+150°C
封装类型：DPAK (TO-252)
1. 超低导通电阻设计，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高雪崩击穿能量能力，增强了器件在短路或过载条件下的耐用性。
3. 快速开关速度，适合高频应用，同时降低了开关损耗。
4. 符合RoHS标准，环保且无铅焊接兼容。
5. 具有良好的热性能，便于散热设计，尤其在大电流应用场景下表现优异。
1. 开关模式电源(SMPS)，如适配器和充电器。
2. 直流电机控制与驱动。
3. 各类负载开关，包括USB端口保护。
4. 工业自动化设备中的功率调节模块。
5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制电路。
6. 汽车电子领域，例如电动座椅调节及车窗升降控制等辅助功能。
FDP5802
IRFZ44N
STP18NF06L
