时间：2025/5/16 14:32:26
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FDD6612A-UDU 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 DPAK 封装（TO-252）。该器件适用于高效率、低功耗的应用场景，广泛用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等应用中。
该 MOSFET 的设计使其具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而可以减少导通损耗，提高系统效率。此外，其较高的雪崩击穿能力和快速的开关速度也使其在恶劣环境下表现出色。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：30A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：28nC（典型值）
总电容：240pF（典型值）
反向恢复时间：9ns（典型值）
1. 极低的导通电阻，有助于降低功耗并提高效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用。
3. 高雪崩击穿能力，增强了器件的耐用性和可靠性。
4. 热稳定性好，能够在较宽的工作温度范围内保持一致的性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 采用标准 DPAK 封装，便于安装和散热设计。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC 转换器中的同步整流管或控制开关。
3. 各类负载开关应用。
4. 电机驱动和保护电路。
5. 工业控制和汽车电子领域中的功率管理模块。
6. 其他需要高效功率切换的场合。
FDD6620A, IRF6612, AO6612
